收藏本站
IXGN
200N60B
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
SOT-227B miniBLOC
g fs
I C
= 60 A; V CE = 10 V,
50
75
S
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle ≤ 2 %
C ies
11000
pF
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
680
190
350
72
131
pF
pF
nC
nC
nC
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = 100A, V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.4 ?
Remarks: Switching times
may increase for
60
45
2.4
200
160
360
280
ns
ns
mJ
ns
ns
t ri
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t ri
E off
R thJC
R thCK
V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
Inductive load, T J = 125 ° C
I C =100A, V GE = 15 V
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.4 ?
Remarks: Switching times
may increase for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES ,
higher T J or increased R G
5.5
60
60
4.8
290
250
8.7
0.05
9.6 mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.21 K/W
K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXGN400N30A3 IGBT 300V SOT-227B
IXGN400N60A3 IGBT 400A 600V SOT-227B
IXGN400N60B3 IGBT 600V 430A SOT-227
IXGN50N120C3H1 IGBT 1200V 95A SOT-227
IXGN50N60B IGBT 75A 600V SOT-227B
IXGN60N60C2 IGBT 600V 75A SOT-227B
IXGN60N60 IGBT 600V 100A SOT-227B
IXGN72N60A3 IGBT 160A 600V SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXGN200N60B3 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶体管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶体管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN400N60B3 功能描述:IGBT 模块 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN40N60CD1 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN50N120C3H1 功能描述:IGBT 模块 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXGN50N60B 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube